مفهومی از کانال، رَنک و سَمت

حافظه‌ی تک کانال یا حافظه‌ی دارای کانال چندگانه، یک حالت سمتِ پردازنده است. کنترلر مجتمع حافظه (IMC) می‌تواند از کانال‌های موازی چندگانه برای دسترسی به حافظه با پهنای باند نظری دوبرابری استفاده کند. با این حال، دستاوردهای واقعی کمتر از میزان ایده‌آل یاد شده هستند. هم‌اکنون پردازنده‌های اصلی سطح بالای (high end) استفاده شده به وسیله‌ی اورکلاک کننده‌ها از معماری چهار کاناله هم پشتیبانی می‌کند اما برای بهره‌مندی از آن، مادربرد هم باید از این معماری پشتیبانی کند. در ادامه، تصویری از پیکربندی رم تک کاناله در ۳ شکاف DIMM قابل مشاهده است.

هر رنک در حافظه‌ی رم، یک مجموعه‌ی سطح پایینی از تراشه‌های حافظه‌ی انفرادی در یک ماژول رم تک‌گانه است که می‌توانند به صورت هم‌زمان در دسترس باشند. ماژول رم تک‌گانه، بلوک داده‌ای است که دارای گذرگاهی (Bus) با پهنای ۶۴ بیتی است. البته حافظه‌های رم ECC برگرفته از عبارت Error Checking & Correction که قادر به تشخیص آسیب دیدگی داده و رفع آن هستند، دارای گذرگاهی با پهنای ۷۲ بیتی خواهند بود. این نوع حافظه‌ها در رایانه‌هایی که برای پردازش‌های علمی و مالی مورد استفاده قرار می‌گیرد، کاربرد دارند. رنک تک‌گانه (Single rank) به این معنی است که ماژول‌های رم دارای یک بلوک قابل آدرس دهی هستند. رنک دوگانه (Dual rank) هم به این معنی است که تراشه‌های حافظه‌ی روی ماژول رم به دو گروه تقسیم شده و دارای دو بلوک آدرس دهی هستند. به عبارت دیگر، رنک تک‌گانه فقط دارای یک بلوک داده با گذرگاه ۶۴ بیتی یا ۷۲ بیتی است؛ اما رنک دوگانه دارای دو بلوک داده با گذرگاه ۶۴ بیتی یا ۷۲ بیتی است. رنک به تعداد تراشه‌های فیزیکی حافظه‌ی موجود در ماژول رم بستگی نداشته و برای مثال ممکن است رنک تک‌گانه، مربوط به ۸ عدد تراشه یا ۱۶ عدد تراشه‌ی حافظه در یک مموری باشد. با مشاهده‌ی عکس زیر می‌توانید تصور بهتری از رنک داشته باشید.

مطلب پیشنهادی  تفاوت بین DDR و DDR2 و DDR3 در چیست؟

بسته به پیکربندی کنترلر حافظه‌ی مجتمع پردازنده‌ی اصلی، بیشینه‌ی تعداد رنک‌های پشتیبانی شده به ازای هر کانال، محدود است. با وجود این که افزایش تعداد رنک‌ها در پیکربندی باعث بهبود عملکرد می‌شود اما داشتن رنک مازاد هم اثر منفی شدیدی بر روی سرعت کلی حافظه‌ی رم می‌گذارد. این مورد به طور عمومی فقط برای سرورها، رایانه‌های دارای قدرت پردازشی بالا (workstation) و دیگر پیکربندی‌های دارای ظرفیت حافظه‌ی بالا است.
حافظه‌ی رم یک طرفه یا یک سمتی در برابر حافظه‌ی رم دو طرفه، به موضوع تراکم رم اشاره دارد. در حافظه‌ی رم تک طرفه، همه‌ی مدارهای مجتمع (IC) حافظه در یک پیکربندی با تراکم بالا فقط در یک سمت از ماژول فیزیکی قرار دارند؛ در حالی که حافظه‌های رم دو طرفه در هر دو سمت خود دارای مدارهای مجتمع حافظه هستند. این دو نوع می‌توانند دارای یک، دو، سه یا چهار رنک باشند. بحث‌های زیادی حول پیرامون فرکانس بالا و تراکم بالای حافظه‌های رم تک طرفه و دوطرفه وجود دارد. ماژول رم تک طرفه که اغلب دارای رنک تک‌گانه است، کاهش قابل توجهی را در رتبه‌های بنچمارک در مقایسه با حافظه‌ی رم دو طرفه‌ی دارای رنک دوگانه با نرخ کلاک پایین نشان می‌دهد.

جایگذاری (Interleaving) فرآیندی از تقسیم بلوک‌های داده به طوری که اهداف چندگانه قادر به آدرس دهی پیوسته باشند، است. جایگذاری کانال باعث افزایش بالقوه‌ی پهنای باند خواندن سیستم می‌شود. جایگذاری رنک هم به این معنی است که، در حالی که دیگر رنک‌های رم مربوط به پیکربندی چند رنکی در حال نوسازی داده هستند، یک رنک از حافظه‌ی رم می‌تواند قابل آدرس دهی باشد؛ در این حالت تاخیر کلی تراشه‌ی رم کاهش خواهد یافت. برای به حداکثر رساندن کارایی حافظه‌ی رم، پارامترهای جایگذاری کانال و رنک باید به بالاترین حالت ممکن که به وسیله‌ی مادربرد پشتیبانی می‌شود، تنظیم شوند.

مطلب پیشنهادی  معرفی انواع ساختار Virtual Disk

 

منبع: Zoomit.ir